美光全球首发232层TLC闪存写入速度提升100%

2021年全球首发176层堆栈的3D闪存之后，美光今天有全球首发了232层堆栈的TLC闪存，这是全然首个超过200层的闪存，也是业界密度最高的，接口速度提升到2.4GB/s，写入速度提升100%。

美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer表示232层闪存是存储芯片创新的分水岭，首次证明了3D闪存有扩展到200层以上的能力。

指标方面，美光表示其232层TLC闪存引入了业内最快的IO速度，可达2.4GB/s，比上代的176层闪存高出50%，同时写入带宽提升100%，读取带宽提升75%。

美光的232层闪存还是全球首个六平面TLC闪存，在TLC闪存中平面最多，而且每个平面都可以独立读取，高IO速度、低延迟及六平面结构相结合使得232层闪存可以提供一流的数据传输能力。

此外，美光的232层闪存还是首款支持NV-LPDDR4，后者是一种低压接口，相比之前的IO接口，每比特的能效提升30%以上。

其他方面，美光的232层TLC闪存还是有史以来密度最高的，达到了14.6Gb/mm2，比当前的TLC闪存高出35-100%，而且232层闪存使用了11.5x13.5mm封装，尺寸比前代产品小了28%，是市面上最小面积的高密度闪存，可以减少对电路板空间的占用。

目前美光的232层闪存已经在新加披工厂量产，最初会由美光旗下的英睿达品牌推出消费级SSD，后续再公告其他产品。(作者：宪瑞)

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